近日，針對英偉達（NVDA.US）測試其高帶寬存儲芯片（HBM）的媒體報道，三星電子（SSNLF.US）再次發(fā)表官方回應，澄清相關傳聞。三星方面表示，測試工作正在“按計劃”順利進行，并與各客戶保持密切合作，以優(yōu)化產(chǎn)品性能。
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上周，有消息傳出英偉達已批準三星的8層HBM3E芯片用于其人工智能處理器。然而，三星迅速對此傳聞進行了否認，稱該報道與事實相去甚遠。“我們無法證實與客戶相關的傳聞，這個報道并非真實情況。”三星的一位發(fā)言人通過電子郵件明確回應道。
HBM（高帶寬內存）作為一種動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）標準，通過垂直堆疊芯片的方式有效節(jié)省空間并降低能耗，已成為人工智能GPU不可或缺的關鍵組件。它能夠高效處理復雜應用程序產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)，對于推動AI技術的發(fā)展具有重要意義。目前，HBM3是新一代人工智能GPU中最常用的第四代技術標準，而HBM3E芯片則采用了更為先進的第五代標準。
在全球HBM芯片市場中，SK海力士與三星電子占據(jù)了主導地位，而美國芯片制造商美光科技（MU.US）緊隨其后。上個月，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛公開表示，公司正在積極評估美光和三星的HBM芯片，以評估它們的市場競爭力，尤其是與SK海力士相比的優(yōu)勢。